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工業(yè)廢水處理中含硅廢水造成膜污堵原因以及常用除硅工藝
閱讀量:813 發(fā)表時(shí)間:2024-02-29

一、含硅廢水中二氧化硅(硅)造成膜污堵原因包括:

結(jié)垢形成: 二氧化硅在水中可以形成硅酸鹽,特別是在高硅含量的水源中。當(dāng)水通過(guò)膜過(guò)濾時(shí),硅酸鹽可能會(huì)沉積在膜表面或孔隙中,逐漸形成結(jié)垢。這些沉積物會(huì)導(dǎo)致膜的有效孔徑減小,降低水通量,最終造成膜的污堵。

結(jié)晶形成:在一些情況下,硅可以以晶體形式沉積在膜表面上。這些硅晶體會(huì)形成物理性的屏障,阻礙水的透過(guò),并促進(jìn)其他污染物質(zhì)的附著和沉積,加劇膜的污堵。

氧化還原作用:硅可以參與氧化還原反應(yīng),特別是在存在氧氣和其他氧化劑的情況下。這些氧化還原反應(yīng)可能導(dǎo)致硅在膜表面形成氧化物或水合物,進(jìn)一步增加膜的污染和降低水通量。

反應(yīng)活性:二氧化硅本身具有一定的化學(xué)反應(yīng)活性,它可以與水中的其他成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成新的化合物。這些新化合物可能會(huì)附著在膜表面上,導(dǎo)致膜污堵。

二、工業(yè)廢水處理中主要除硅方法

工業(yè)廢水處理中除去硅的方法取決于硅的形態(tài)、濃度以及廢水的性質(zhì)。以下是一些常見(jiàn)的除去硅的方法:

沉淀法:沉淀法是通過(guò)加入適當(dāng)?shù)某恋韯?,使硅以固體沉淀的形式從廢水中去除。常用的沉淀劑包括氫氧化金屬、氫氧化鈣等。

過(guò)濾法:過(guò)濾法是將廢水通過(guò)過(guò)濾介質(zhì),如砂濾或活性炭,去除懸浮的硅顆粒。

離子交換法: 離子交換樹脂可以用來(lái)去除廢水中的硅離子。硅離子在離子交換樹脂上被吸附,從而使廢水中的硅濃度降低。

生物處理法:生物處理過(guò)程中的生物活性污泥可能會(huì)吸附和降解廢水中的一些有機(jī)硅化合物。

三、蘇州無(wú)為環(huán)境科技有限公司電絮凝技術(shù)對(duì)含二氧化硅及其他含硅廢水均具有很好的除硅作用,其主要原理:

電解過(guò)程:在金屬極板電絮凝技術(shù)中,通過(guò)施加電流,在陽(yáng)極產(chǎn)生氧氣,而在陰極產(chǎn)生氫氣。這種電解過(guò)程使廢水中的硅離子和其他溶解物質(zhì)發(fā)生電化學(xué)反應(yīng),促使其聚集成為顆粒,并沉積到廢水底部。

氣泡形成:在電解過(guò)程中,產(chǎn)生的氣泡可以提供表面活性,促進(jìn)顆粒的聚集和沉降。氣泡的存在增加了廢水中的氣-液界面,促進(jìn)了絮凝物質(zhì)的聚集和沉淀。

金屬離子的釋放:在金屬極板電絮凝過(guò)程中,金屬極板會(huì)釋放出金屬離子,這些金屬離子可以與廢水中的硅離子和其他顆粒物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成不溶性的沉淀物。這些沉淀物質(zhì)會(huì)與廢水中的硅結(jié)合,并一同沉淀下來(lái)。

pH值控制:硅在不同的pH條件下存在不同的形態(tài),例如在較低的pH條件下,硅以硅酸鹽的形式存在,而在較高的pH條件下,硅以多聚硅酸鹽的形式存在。通過(guò)調(diào)節(jié)電絮凝系統(tǒng)的pH值,可以優(yōu)化硅的去除效果。

電流密度和時(shí)間:電絮凝過(guò)程中的電流密度和處理時(shí)間也會(huì)影響硅的去除效果。合適的電流密度和處理時(shí)間可以提高絮凝效率和去除效果。

水質(zhì)特性:廢水的水質(zhì)特性也會(huì)影響電絮凝的效果,例如廢水中的其他成分和溶解物質(zhì)可能會(huì)影響絮凝劑的作用效果。

絮凝劑的作用:通常在金屬極板電絮凝過(guò)程中,也會(huì)添加絮凝劑來(lái)促進(jìn)顆粒的聚集和沉淀。絮凝劑能夠改變廢水中顆粒的表面電荷特性,使其更易于相互吸引并聚集成較大的絮凝體。

蘇州無(wú)為環(huán)境科技有限公司專注電絮凝技術(shù)多年,在工業(yè)廢水處理技術(shù)中的除硅、破乳、脫色、膠體脫穩(wěn)等技術(shù)領(lǐng)域均能發(fā)揮出優(yōu)異效果。

綜上所述,電絮凝技術(shù)通過(guò)電解過(guò)程、氣泡的形成、金屬離子的釋放以及絮凝劑的作用等多種機(jī)制相結(jié)合,促使水中的硅離子和顆粒物質(zhì)聚集沉淀,從而實(shí)現(xiàn)硅的有效去除。這種技術(shù)對(duì)于處理含硅廢水具有較好的效果,并在工業(yè)廢水處理中得到廣泛應(yīng)用。

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2021-01-04